Récord mundial de electrones en semiconductores AlN/GaN – Panorama 24
investigadores de la Universidad de Michigan, Ann Arborlogró demostrar experimentalmente una Densidad récord del gas de electrones bidimensional (2DEG) arriba 1×10¹⁴ cm⁻² en una heteroestructura de nitruro de galio y aluminio (AlN/GaN). El descubrimiento, reportado por la revista Semiconductores hoy El 26 de enero de 2026 marca un avance significativo en el diseño de materiales […]
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